功能描述：MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

制造商：global power technologies group

系列：-

包装：管件

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.2A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.1 欧姆 @ 2.1A， 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：658pF @ 25V

功率 - 最大值：98.4W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I-Pak

标准包装：1

GP2M007A080F

GP2M008A060CG

GP2M008A060FG

GP2M008A060FGH

GP2M008A060PGH

GP2M009A090FG

GP2M009A090NG

GP2M010A060F

GP2M010A060H

GP2M010A065F